基本信息:
- 专利标题： 单步法的深紫外微缩投影光刻并行制造系统及方法
- 申请号：CN202111000941.1 申请日：2021-08-30
- 公开(公告)号：CN113805438A 公开(公告)日：2021-12-17
- 发明人： 王学文 , 岳云帆 , 张子涵
- 申请人： 武汉理工大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人： 武汉理工大学
- 当前专利权人： 武汉理工大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构： 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理人： 胡琳萍
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20
摘要：
本发明公开了一种单步法的深紫外微缩投影光刻并行制造系统及方法，包括深紫外飞秒激光光刻系统、外光路调制单元、微缩投影系统，三维移动平台系统，CCD光学成像系统，三维移动平台系统能与轴向或z方向位移的油浸物镜联动，控制飞秒激光在样品上的焦点位置以及位移运动；深紫外飞秒激光光刻系统与外光路调制单元、微缩投影系统连接，控制所发射的飞秒激光在整个制造过程中的强度、功率和曝光时间。能够解决微缩投影光刻技术难以应用于众多材料领域，难以实现大面积制造，并行化制造难以提供高精度的技术瓶颈。
公开/授权文献:
- CN113805438B 单步法的深紫外微缩投影光刻并行制造系统及方法 公开/授权日：2022-11-25