基本信息:
- 专利标题： 新型一硫化钛纳米材料及其复合材料的制备与吸波用途
- 申请号：CN202111116673.X 申请日：2021-09-23
- 公开(公告)号：CN113800555A 公开(公告)日：2021-12-17
- 发明人： 张育新 , 李凯霖 , 杨平安 , 刘晓英 , 任世海 , 易双 , 饶劲松 , 李南 , 董立超 , 丛大龙 , 白晶莹 , 舒文祥
- 申请人： 重庆大学
- 申请人地址： 重庆市沙坪坝区沙正街174号重庆大学A区材料学院综合实验大楼
- 专利权人： 重庆大学
- 当前专利权人： 重庆大学
- 当前专利权人地址： 重庆市沙坪坝区沙正街174号重庆大学A区材料学院综合实验大楼
- 代理机构： 北京市领专知识产权代理有限公司
- 代理人： 李静; 任永利
- 优先权： 2021110248747 20210902 CN
- 主分类号： C01G23/00
- IPC分类号： C01G23/00 ; C01G45/02 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00
摘要：
本发明属于吸波材料技术领域，具体涉及新型一硫化钛纳米材料及其复合材料的制备与吸波用途。所述一硫化钛为分散的微米颗粒形式，微米颗粒是由二维纳米片堆叠而成的块体。本发明公开了一种新型的TiS纳米材料，该TiS纳米材料是由二维纳米片堆叠而成的块体，因此其具有更利于吸波效果的片状结构。此外，实验结果证明，该TiS纳米材料在40wt％掺量下，具有最优异的吸波性能，其最小反射损耗可以达到‑47.4dB，有效吸收带宽为5.9GHz,吸收峰值频率为6.8GHz，结果优于目前的二维本体材料。该TiS纳米材料吸波性能优异的原因之一可能是其中的TiS的片层状的微观形貌，使得电磁波折射损耗。
公开/授权文献:
- CN113800555B 新型一硫化钛纳米材料及其复合材料的制备与吸波用途 公开/授权日：2023-05-16