基本信息:
- 专利标题： 半导体结构及其形成方法
- 申请号：CN202010523041.4 申请日：2020-06-10
- 公开(公告)号：CN113782486A 公开(公告)日：2021-12-10
- 发明人： 陈卓凡 , 金吉松 , 张海洋
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;
- 代理机构： 上海知锦知识产权代理事务所
- 代理人： 高静
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/528
摘要：
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一介质层以及位于第一介质层中的第一互连线；在第一互连线上形成与第一互连线的顶面相接触的牺牲柱；在牺牲柱的侧壁上形成第一扩散阻挡层；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层覆盖第一扩散阻挡层的侧壁；在形成第二介质层后，去除牺牲柱，形成由第一扩散阻挡层与第一互连线的顶面围成的导电通孔；对导电通孔进行填充，形成位于导电通孔中的通孔互连结构，通孔互连结构与第一互连线直接接触。通孔互连结构能够与第一互连线直接接触，有利于减少通孔互连结构与第一互连线之间的接触电阻，进而有利于提高通孔互连结构与第一互连线之间的接触性能。
公开/授权文献:
- CN113782486B 半导体结构及其形成方法 公开/授权日：2024-02-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |