基本信息:
- 专利标题： 一种去除外延片衬底的方法
- 申请号：CN202111046426.7 申请日：2021-09-07
- 公开(公告)号：CN113764968A 公开(公告)日：2021-12-07
- 发明人： 吕家纲 , 李伟 , 刘素平 , 马骁宇 , 仲莉 , 熊聪
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 樊晓
- 主分类号： H01S5/02
- IPC分类号： H01S5/02
摘要：
本发明公开了一种将外延片衬底完全去除的方法，外延片自下而上顺次包括衬底、腐蚀停止层、外延层，该方法包括如下制作步骤：对外延片的衬底进行切削，得到超薄衬底的外延片；将超薄衬底的外延片的外延层与临时牺牲片键合，得到键合外延片；利用腐蚀液对键合外延片进行腐蚀，直至暴露所述外延层，得到暴露外延层的键合外延片；以及对暴露外延层的键合外延片进行解键合，分离外延层和临时牺牲片。本发明能够将大功率半导体发光器件的衬底完全去除，降低器件热耗散，提高散热能力，从而增大器件输出功率和功率转换效率。
公开/授权文献:
- CN113764968B 一种去除外延片衬底的方法 公开/授权日：2022-11-22