基本信息:
- 专利标题： 基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及制备方法
- 申请号：CN202110815527.X 申请日：2021-07-19
- 公开(公告)号：CN113764554B 公开(公告)日：2023-08-15
- 发明人： 许晟瑞 , 贠博祥 , 吴前龙 , 陶鸿昌 , 许文强 , 张雅超 , 张进成 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 申请人地址： 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室
- 专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人： 西安电子科技大学芜湖研究院
- 当前专利权人地址： 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包产业园4号楼1205室
- 代理机构： 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理人： 刘长春
- 主分类号： H01L33/04
- IPC分类号： H01L33/04 ; H01L33/20 ; H01L33/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及其制备方法，发光二极管自下而上包括：c面蓝宝石衬底1、高温AlN成核层2、非故意掺杂GaN层3、n型GaN层4、AlwGa1‑wN/AlxGa1‑xN多量子阱5、AlyGa1‑yN电子阻挡层6、高浓度p型层7、p型AlzGa1‑zN层8和p型电极9，n型GaN层4上部的一侧设有n型电极10，高浓度p型层7包含p型Si纳米线结构，p型Si纳米线结构包括多个均匀设置p型Si纳米线。本发明可以增大p型层中的空穴浓度，从而提高了空穴注入效率，提高了器件的发光效率，同时缓解droop效应。
公开/授权文献:
- CN113764554A 基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及制备方法 公开/授权日：2021-12-07