基本信息:
- 专利标题： 一种准垂直结构射频器件及制作方法
- 申请号：CN202110866200.5 申请日：2021-07-29
- 公开(公告)号：CN113745324A 公开(公告)日：2021-12-03
- 发明人： 祝杰杰 , 马晓华 , 张颖聪 , 杨凌 , 侯斌 , 郝跃
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 代理机构： 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理人： 刘长春
- 主分类号： H01L29/423
- IPC分类号： H01L29/423 ; H01L29/732 ; H01L29/737 ; H01L29/76 ; H01L21/335 ; H01L21/331
摘要：
本发明涉及一种准垂直结构射频器件及制作方法，该器件包括基区、基极、发射区、第一钝化层、第二钝化层和发射极，其中，发射区和第一钝化层形成第二台阶；第二钝化层覆盖第一钝化层的部分表面以形成靠近第一台阶的第一台面，位于第二台阶上的第二钝化层的表面形成发射极台面；基极的底部贯穿第二钝化层且位于基区上，基极的侧面与第二台阶侧面的第二钝化层接触，基极的顶部位于第一台面上且位于发射极台面上。该器件中基极搭上发射极台面，最大限度缩小了基极与发射极台面间横向距离，降低了基极串联总电阻，实现了晶体管工作性能的提升。
公开/授权文献:
- CN113745324B 一种准垂直结构射频器件及制作方法 公开/授权日：2023-07-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/423 | ...不通有待整流、放大或切换电流的 |