基本信息:
- 专利标题： 一种InP量子点及其制备方法和应用
- 申请号：CN202111135057.9 申请日：2021-09-27
- 公开(公告)号：CN113717713B 公开(公告)日：2024-01-05
- 发明人： 孙小卫 , 段西健 , 王恺 , 刘湃 , 张文达 , 徐冰
- 申请人： 淮北扑浪新材料有限公司
- 申请人地址： 安徽省淮北市濉溪县濉溪经济开发区樱花路南侧标准化厂房A2栋
- 专利权人： 淮北扑浪新材料有限公司
- 当前专利权人： 淮北扑浪新材料有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省淮北市濉溪县濉溪经济开发区樱花路南侧标准化厂房A2栋
- 代理机构： 北京品源专利代理有限公司
- 代理人： 潘登
- 主分类号： C09K11/02
- IPC分类号： C09K11/02 ; C09K11/88 ; C09K11/70 ; B82Y20/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明提供一种InP量子点及其制备方法和应用；所述制备方法通过控制InP量子点中InP量子点晶核以及ZnSe/ZnSeS/ZnS壳层生长过程中的反应温度和反应时间，使得到的InP量子点晶核表面缺陷较少，不同的壳层界面间原子扩散均匀，不同的壳层的梯度浓度变化均匀，进而使得壳层与壳层、壳层与核心之间的应力减小，使得到的量子点产率较高、发光效率较高且发光稳定性较高，具有重要意义。(56)对比文件Derrick Allan Taylor etal..Importance of SurfaceFunctionalization and Purification forNarrow FWHM and Bright Green-Emitting InPCore−Multishell Quantum Dots via a Two-Step Growth Process《.Chem. Mater.》.2021,第33卷第4399-4407页.W. Zhang et al..High Quantum YieldInP/ZnMnS/ZnS Quantum Dots《.DIGEST》.2019,第1716-1719页.
公开/授权文献:
- CN113717713A 一种InP量子点及其制备方法和应用 公开/授权日：2021-11-30