基本信息:
- 专利标题： 一种高性能大功率低噪声TR芯片
- 申请号：CN202110854865.4 申请日：2021-07-28
- 公开(公告)号：CN113659947B 公开(公告)日：2022-04-08
- 发明人： 黄杨 , 罗力伟 , 王祁钰 , 杨柯
- 申请人： 四川益丰电子科技有限公司
- 申请人地址： 四川省成都市青羊区敬业路218号7栋2楼1号
- 专利权人： 四川益丰电子科技有限公司
- 当前专利权人： 四川益丰电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市青羊区敬业路218号7栋2楼1号
- 代理机构： 成都为知盾专利代理事务所
- 代理人： 李汉强
- 主分类号： H03F3/68
- IPC分类号： H03F3/68 ; H03F1/56
摘要：
本发明公开了一种高性能大功率低噪声TR芯片，属于无线通信技术领域，针对现有技术中缺少一种以满足Ka波段高功率、高效率、宽带高增益、低驻波、小型化应用场景下保持高性能的功率放大器芯片，以及缺少满足满足接收端低功耗、低噪声、高灵敏度和高性能低噪声放大器芯片。本发明提出了通过三级放大电路的10W放大器和通过四级放大的低噪声放大器，并同时将10W发射功率放大器和接收低噪声放大器集成在一个TR芯片上。以达到实现Ka波段高功率、高效率、宽带高增益、低驻波、小型化应用场景下保持高性能的10W放大器芯片，同时满足接收端低功耗、低噪声、高灵敏度和高性能低噪声放大器芯片。
公开/授权文献:
- CN113659947A 一种高性能大功率低噪声TR芯片 公开/授权日：2021-11-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03F | 放大器 |
| ------H03F3/00 | 只带有电子管或只带有半导体器件作为放大元件的放大器 |
| --------H03F3/68 | .放大器的组合，例如用于立体声的多通道放大器 |