基本信息:
- 专利标题： 一种基于压电薄膜形变的差动式微型电场传感器件
- 申请号：CN202111043968.9 申请日：2021-09-07
- 公开(公告)号：CN113640591B 公开(公告)日：2022-04-29
- 发明人： 何金良 , 韩志飞 , 胡军 , 张波
- 申请人： 清华大学
- 申请人地址： 北京市海淀区清华园
- 专利权人： 清华大学
- 当前专利权人： 清华大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华园
- 代理机构： 北京众合诚成知识产权代理有限公司
- 代理人： 张文宝
- 主分类号： G01R29/12
- IPC分类号： G01R29/12 ; G01R27/26
摘要：
一种基于压电薄膜形变的差动式微型电场传感器件，包括沿水平方向放置的可自由振动的压电薄膜，压电薄膜两侧附着电极，电极两侧设绝缘层，绝缘层和电极间留有空隙，下导电层附着在绝缘层远离压电薄膜的一侧，电极两侧的两端分别形成有绝缘支撑结构，压电薄膜、电极、绝缘层、绝缘支撑结构、下导电层形成空腔；在压电薄膜两侧的相同端的绝缘支撑结构中引出有导电柱，导电柱与电极相连；压电薄膜的两侧结构以压电薄膜对称分布，形成两个电容，两个电容形成并联结构；下导电层和导电柱分别与外部电容测量设备连接，用于对电容进行测量。本发明的器件，体积小、制造成本低，具有良好的线性度和较高的灵敏度，能够满足电网及设备内部的电场测量需求。
公开/授权文献:
- CN113640591A 一种基于压电薄膜形变的差动式微型电场传感器件 公开/授权日：2021-11-12
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R29/00 | 不包括在G01R19/00至G01R27/00各组中的电量的测量或指示装置 |
| --------G01R29/12 | .静电场的测量 |