基本信息:
- 专利标题： 自旋元件及储备池元件
- 申请号：CN202080001916.2 申请日：2020-01-24
- 公开(公告)号：CN113632239A 公开(公告)日：2021-11-09
- 发明人： 滨中幸祐 , 佐佐木智生 , 盐川阳平
- 申请人： TDK株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： TDK株式会社
- 当前专利权人： TDK株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨琦; 陈明霞
- 国际申请： PCT/JP2020/002513 2020.01.24
- 国际公布： WO2021/149242 JA 2021.07.29
- 进入国家日期： 2020-09-14
- 主分类号： H01L29/82
- IPC分类号： H01L29/82 ; G06N3/063 ; H01L43/08
摘要：
本实施方式提供的自旋元件具备：配线(20)；层叠体(10)，其层叠于上述配线上，包含第一铁磁性层(1)；第一导电部(30)和第二导电部(40)，从层叠方向(z)俯视时，该第一导电部和第二导电部夹着上述第一铁磁性层；以及中间层(50)，其在上述第一导电部和上述配线之间与上述配线相接，构成上述中间层的第二元素相对于构成上述配线的第一元素的扩散系数比构成上述第一导电部的第三元素相对于上述第一元素的扩散系数小，或者，构成上述第一导电部的第三元素相对于构成上述配线的第二元素的扩散系数比上述第三元素相对于构成上述中间层的第一元素的扩散系数小。
公开/授权文献:
- CN113632239B 自旋元件及储备池元件 公开/授权日：2024-04-12