![阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备](/CN/2021/1/167/images/202110836154.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备
- 申请号:CN202110836154.4 申请日:2021-07-23
- 公开(公告)号:CN113552753A 公开(公告)日:2021-10-26
- 发明人: 黄安 , 雷金波 , 蒋学兵 , 邵贤杰
- 申请人: 南京京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 江苏省南京市栖霞区天佑路7号;
- 专利权人: 南京京东方显示技术有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 南京京东方显示技术有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南京市栖霞区天佑路7号;
- 代理机构: 北京金信知识产权代理有限公司
- 代理人: 崔家源; 范继晨
- 主分类号: G02F1/1362
- IPC分类号: G02F1/1362 ; G02F1/1368 ; G02F1/1337 ; G02F1/1333
摘要:
本公开实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备,方法包括:在第一膜层上制备平坦化的有机膜层,第一膜层包括:TFT开关基础膜层和端子走线区域;采用黄光工艺在有机膜层上制备第一类开孔和第二类开孔,以得到第一阵列基板;在第一阵列基板上对端子走线区域对应的全部有机膜层进行曝光处理,以得到第二阵列基板;在第二阵列基板上TFT开关基础膜层上制备预定膜层,以得到第三阵列基板;采用全连版的APR版对第三阵列基板进行配向处理,以得到具有厚度均一PI膜层的第四阵列基板;在第四阵列基板上对端子走线区域对应的全部有机膜层及PI膜层进行显影处理,以得到裸露出端子走线区域的阵列基板。
公开/授权文献:
- CN113552753B 阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及电子设备 公开/授权日:2024-01-23
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G02 | 光学 |
----G02F | 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如转换、选通、调制或解调,上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的;用于上述操作的技术或工艺;变频;非线性光学;光学逻辑元件;光学模拟/数字转换器 |
------G02F1/00 | 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置,例如,转换、选通或调制;非线性光学 |
--------G02F1/01 | .对强度、相位、偏振或颜色的控制 |
----------G02F1/09 | ..基于磁—光元件的,例如,呈现法拉第效应的 |
------------G02F1/133 | ...构造上的设备;液晶单元的工作;电路装置 |
--------------G02F1/136 | ....结构上与一半导体层或基片相结合的液晶单元,例如形成集成电路部分的液晶单元 |
----------------G02F1/1362 | .....有源矩阵寻址单元 |