基本信息:
- 专利标题： 一种SiC MOSFET模块连续可调多等级驱动电路
- 申请号：CN202110720418.X 申请日：2021-06-28
- 公开(公告)号：CN113541455B 公开(公告)日：2024-11-05
- 发明人： 孟昭亮 , 高勇 , 杨媛 , 艾胜胜 , 董志伟
- 申请人： 西安工程大学
- 申请人地址： 陕西省西安市碑林区金花南路19号
- 专利权人： 西安工程大学
- 当前专利权人： 西安工程大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市碑林区金花南路19号
- 代理机构： 西安弘理专利事务所
- 代理人： 韩玙
- 主分类号： H02M1/088
- IPC分类号： H02M1/088
摘要：
一种SiC MOSFET模块连续可调多等级驱动电路，包括控制单元；所述控制单元分别连接有多等级驱动电路和连续可调驱动电源，所述多等级驱动电路连接有功率单元；连续可调多等级驱动电路包括四个NMOS开关管，四个PMOS开关管以及四个连续可调驱动电源V
公开/授权文献:
- CN113541455A 一种SiC MOSFET模块连续可调多等级驱动电路 公开/授权日：2021-10-22