基本信息:
- 专利标题： 集成组合件、其制作方法、半导体存储器及电子设备
- 申请号：CN202010271223.7 申请日：2020-04-08
- 公开(公告)号：CN113496994A 公开(公告)日：2021-10-12
- 发明人： 金一球 , 李俊杰 , 周娜 , 杨涛 , 李俊峰 , 王文武
- 申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所,真芯(北京)半导体有限责任公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 代理机构： 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理人： 付婧
- 主分类号： H01L23/528
- IPC分类号： H01L23/528 ; H01L21/768 ; H01L27/11507 ; H01L27/22 ; H01L27/24
摘要：
本公开提供一种集成组合件、其制作方法及电子设备。本公开的集成组合件包括：半导体结构、衬层和顶部配线，所述衬层形成在所述半导体结构的侧壁上，并向上延伸至所述半导体结构的顶部以上，形成开口；所述顶部配线通过所述开口中的第一接触与所述半导体结构顶部电连接。该集成组合件，在制作其顶部配线时，不需要新增形成接触塞的掩模板、光刻工艺及蚀刻工艺，使得顶部电极的连接配线形成较易，且从顶部连接配线构造与形成方法上来看相对费用较低，节约制作成本。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |
| ------------H01L23/528 | ...互连结构的布置 |