基本信息:
- 专利标题： 基于双柱电介质超表面的偏振器件
- 申请号：CN202110736705.X 申请日：2021-06-30
- 公开(公告)号：CN113466984A 公开(公告)日：2021-10-01
- 发明人： 邓子岚 , 涂清安 , 李枫竣 , 李向平
- 申请人： 暨南大学
- 申请人地址： 广东省广州市天河区黄埔大道西601号
- 专利权人： 暨南大学
- 当前专利权人： 暨南大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市天河区黄埔大道西601号
- 代理机构： 广州市华学知识产权代理有限公司
- 代理人： 雷芬芬
- 主分类号： G02B5/30
- IPC分类号： G02B5/30 ; G02B1/00 ; B82Y20/00
摘要：
本发明公开了一种基于双柱电介质超表面的偏振器件，包括电介质基底、电介质纳米柱阵列，所述的电介质纳米柱阵列包括N组的双原子超构分子，N≥2，所述的双原子超构分子位于电介质基底上，所述的双原子超构分子包括两个尺寸一致的纳米柱，两个纳米柱的中心与水平方向呈不同夹角，两个纳米柱位于电介质基底上形成双柱电介质超表面；通过调控双原子超构分子的尺寸大小与两个纳米柱的旋转角之差/之和，实现对衍射光振幅、偏振的同时独立调控。本发明通过利用电介质双原子结构实现了衍射光振幅、偏振的同时独立调控，增加了自由度，激发了超构表面偏振光学的应用潜能，提供了更多的超构表面应用场景。
公开/授权文献:
- CN113466984B 基于双柱电介质超表面的偏振器件 公开/授权日：2023-11-17