基本信息:
- 专利标题： 液相外延法制备的超厚石榴石单晶膜及其制备方法
- 申请号：CN202110799088.8 申请日：2021-07-15
- 公开(公告)号：CN113463196A 公开(公告)日：2021-10-01
- 发明人： 李俊 , 李阳 , 谭士杰 , 陈运茂 , 魏占涛 , 游斌 , 姜帆 , 帅世荣 , 蓝江河 , 肖礼康
- 申请人： 中国电子科技集团公司第九研究所
- 申请人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第九研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第九研究所
- 当前专利权人地址： 四川省绵阳市滨河北路西段268号
- 代理机构： 绵阳市博图知识产权代理事务所
- 代理人： 黎仲
- 主分类号： C30B29/28
- IPC分类号： C30B29/28 ; C30B19/02 ; C30B19/10
摘要：
本发明公开了一种液相外延法制备的超厚石榴石单晶膜，属于铁氧体单晶材料领域，所述单晶膜的分子式为：Y3‑xAxFe5O12，其中，0＜x≤0.3，A为离子半径大于Y离子的一种或一种以上的元素，所述单晶膜为双面厚度均为200‑1000μm的石榴石单晶膜，其制备方法为采用脉动式多段生长；本发明通过合适的离子掺杂和脉动式多段控温工艺，实现了膜厚可控的双面200‑1000μm超厚膜生长，实现了单晶膜铁磁共振线宽的有效控制，可用于微波器件、自旋波器件；双面生长的单晶膜与单面生长相比，极大的提高了生产效率；且本申请制成的单晶膜为不同种类的微波或自旋波器件设计、加工奠定了基础。
公开/授权文献:
- CN113463196B 液相外延法制备的超厚石榴石单晶膜及其制备方法 公开/授权日：2022-09-13