基本信息:
- 专利标题： 一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法
- 申请号：CN202110519898.3 申请日：2021-05-13
- 公开(公告)号：CN113436806B 公开(公告)日：2022-12-23
- 发明人： 周雄图 , 陈桂雄 , 郭太良 , 张永爱 , 吴朝兴 , 林志贤 , 叶芸
- 申请人： 福州大学 , 闽都创新实验室
- 申请人地址： 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学;
- 专利权人： 福州大学,闽都创新实验室
- 当前专利权人： 福州大学,闽都创新实验室
- 当前专利权人地址： 福建省福州市闽侯县福州大学城乌龙江北大道2号福州大学;
- 代理机构： 福州元创专利商标代理有限公司
- 代理人： 陈明鑫; 蔡学俊
- 主分类号： H01B13/00
- IPC分类号： H01B13/00
摘要：
本发明涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。所述方法：先在银纳米线导电膜上实现光刻胶的图形化，接着利用半导体氧化物薄膜对未被光刻胶覆盖的银纳米线网络进行加固，最后通过超声使图形化光刻胶粘附底部银纳米线一起剥离出基板，从而实现银纳米线导电膜的图形化。本发明制作工艺简单、成本低，容易实现高分辨率的图形化银纳米线导电膜，同时能增强银纳米线的抗氧化能力和在基板上的附着性。
公开/授权文献:
- CN113436806A 一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法 公开/授权日：2021-09-24
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B13/00 | 制造导体或电缆制造的专用设备或方法 |