基本信息:
- 专利标题： 一种半导体器件的形成方法
- 申请号：CN202010176880.3 申请日：2020-03-13
- 公开(公告)号：CN113394094A 公开(公告)日：2021-09-14
- 发明人： 陈鸿奎 , 田三河 , 牛健 , 靳颖
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号;
- 代理机构： 北京睿派知识产权代理事务所
- 代理人： 刘锋
- 主分类号： H01L21/324
- IPC分类号： H01L21/324 ; H01L21/265 ; H01L49/02
摘要：
本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，通过在立式退火炉的反应腔的上端通入少量氧气，达到控制立式退火炉的反应腔中的氧气浓度较为均匀的效果。避免了装载过程中进件口附近的空气中存在残余氧气导致反应腔底部存在氧气，而反应腔顶部没有氧气，使反应腔内的氧气浓度不一致以及各前端器件装载时间不同导致的氧化层厚度不均一。使各前端器件的多晶硅薄膜表面都形成较为一致的氧化层。避免退火过程中离子溢出而导致多晶硅薄膜的阻值的一致性差的缺陷。因此，能够提高各多晶硅薄膜的阻值的一致性，进而能够提高半导体器件的性能。
公开/授权文献:
- CN113394094B 一种半导体器件的形成方法 公开/授权日：2023-04-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/324 | .....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结 |