基本信息:
- 专利标题： 半导体结构及其形成方法
- 申请号：CN202110380641.4 申请日：2021-04-09
- 公开(公告)号：CN113363244A 公开(公告)日：2021-09-07
- 发明人： 侯上勇 , 胡宪斌 , 邱绍玲 , 魏文信 , 黄炳刚 , 沈志达 , 卢思维 , 施应庆 , 邱文智 , 吴集锡 , 余振华
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 李伟
- 优先权： 16/881,211 20200522 US
- 主分类号： H01L25/065
- IPC分类号： H01L25/065 ; H01L23/498 ; H01L21/50
摘要：
半导体结构包括：第一中介层；第二中介层，与第一中介层横向相邻，其中，第二中介层与第一中介层间隔开；以及第一管芯，附接至第一中介层的第一侧并且附接至第二中介层的第一侧，其中，第一中介层的第一侧和第二中介层的第一侧面向第一管芯。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。
公开/授权文献:
- CN113363244B 半导体结构及其形成方法 公开/授权日：2024-12-27
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/065 | ...包含在H01L27/00组类型的器件 |