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基本信息:
- 专利标题: 一种射频阵列前端三维集成结构及制作方法
- 申请号:CN202110510532.X 申请日:2021-05-11
- 公开(公告)号:CN113300072B 公开(公告)日:2022-07-15
- 发明人: 卢茜 , 张剑 , 曾策 , 秦跃利 , 王文博 , 李阳阳 , 赵明 , 叶惠婕 , 蒋苗苗
- 申请人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 申请人地址: 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人地址: 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 代理机构: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理人: 刘世权
- 主分类号: H01Q1/00
- IPC分类号: H01Q1/00 ; H01Q1/22 ; H01Q1/36 ; H01Q1/38 ; H01Q1/50 ; H01Q21/06 ; H05K3/32
摘要:
本发明公开了一种射频阵列前端三维集成结构及制作方法,该结构包括从上至下依次堆叠的天线层、芯片层和电路板层。本发明实现了液冷流道与玻璃天线的一体化集成,射频芯片输出端紧贴天线基板,输入端与射频电路板垂直互连,在降低天线馈电损耗的同时解决了大规模阵列的散热问题。使用板级工艺实现大幅面天线加工以及与射频电路的低剖面三维堆叠,具有低成本优势,满足了高频、大规模阵列高密度集成的应用需求。
公开/授权文献:
- CN113300072A 一种射频阵列前端三维集成结构及制作方法 公开/授权日:2021-08-24