基本信息:
- 专利标题： 利用非钨材料的氟离子植入系统和其使用方法
- 申请号：CN201980082496.2 申请日：2019-12-13
- 公开(公告)号：CN113261073B 公开(公告)日：2024-07-16
- 发明人： 唐瀛 , S·N·叶达弗 , J·R·德普雷斯 , J·D·斯威尼
- 申请人： 恩特格里斯公司
- 申请人地址： 美国马萨诸塞州
- 专利权人： 恩特格里斯公司
- 当前专利权人： 恩特格里斯公司
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 李婷
- 国际申请： PCT/US2019/066156 2019.12.13
- 国际公布： WO2020/123901 US 2020.06.18
- 进入国家日期： 2021-06-11
- 主分类号： H01J37/317
- IPC分类号： H01J37/317 ; H01J37/16 ; H01J37/08
摘要：
本发明描述用于氟离子植入的系统和方法，其包括用以产生供植入到个体中的氟离子物质的氟气体源和包括一或多种非钨材料(石墨、碳化物、氟化物、氮化物、氧化物、陶瓷)的电弧室。所述系统在系统操作期间最小化氟化钨的形成，由此延长源寿命且促进经改良的系统性能。此外，所述系统可包括氢和/或氢化物气体源，且这些气体可与氟气一起使用以改良源寿命和/或束电流。
公开/授权文献:
- CN113261073A 利用非钨材料的氟离子植入系统和其使用方法 公开/授权日：2021-08-13
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/317 | ..用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入 |