基本信息:
- 专利标题： 一种减少高压厚栅氧MOS管的电池0V禁止充电电路
- 申请号：CN202110574779.8 申请日：2021-05-26
- 公开(公告)号：CN113258641A 公开(公告)日：2021-08-13
- 发明人： 杨国江 , 王海波 , 李宇
- 申请人： 江苏长晶科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼
- 专利权人： 江苏长晶科技有限公司
- 当前专利权人： 江苏长晶科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江北新区研创园腾飞大厦C座13楼
- 代理机构： 南京天翼专利代理有限责任公司
- 代理人： 汤志武
- 主分类号： H02J7/00
- IPC分类号： H02J7/00
摘要：
本发明公开了一种减少高压厚栅氧MOS管的电池0V禁止充电电路，在现有技术包括电压采样电路、电平移位电路和输出控制电路的0V禁止充电电路基础上，增设包括二极管和电阻构成的电压钳位电路并对输出控制电路加以改进，通过电压钳位电路和改进的输出控制电路共同作用，本发明0V禁止充电电路仅仅使用普通的高压厚栅氧高阈值MOS管工艺就可以正常工作，巧妙化解了现有技术对工艺参数要求较为苛刻的难题。
公开/授权文献:
- CN113258641B 一种减少高压厚栅氧MOS管的电池0V禁止充电电路 公开/授权日：2021-10-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H02 | 发电、变电或配电 |
| ----H02J | 供电或配电的电路装置或系统；电能存储系统 |
| ------H02J7/00 | 用于电池组的充电或去极化或用于由电池组向负载供电的装置 |