基本信息:
- 专利标题： 一种去除离子注入后光刻胶的方法
- 申请号：CN202110523997.9 申请日：2021-05-13
- 公开(公告)号：CN113253581B 公开(公告)日：2024-05-31
- 发明人： 王博 , 王宏 , 时功权 , 莫宏康 , 袁正刚 , 张云超 , 钟俊 , 谈林乖 , 付航军 , 陈侃
- 申请人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
- 申请人地址： 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
- 专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
- 当前专利权人： 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
- 当前专利权人地址： 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
- 代理机构： 贵州派腾知识产权代理有限公司
- 代理人： 谷庆红
- 主分类号： G03F7/42
- IPC分类号： G03F7/42
摘要：
本发明公开了一种去除离子注入后光刻胶的方法，采用等离子体去胶工艺,通入氧气去除硅片上的光刻胶，然后放入去胶液中浸泡，通过观察硅片正面是否为金属表面，对应有两种不同的处理方法；对于表面为非金属化的硅片先采用湿法工艺去胶，再放入过氧化氢与氨水的混合溶液中浸泡，最后通入氩气与氢气的等离子体轰击硅片的氧化层；对于表面为金属化的硅片先通入氧气开始氧化过程，再放入过氧化氢与氨水的混合溶液中浸泡，最后进行通氢气的还原反应过程退火或采用通氩气与氢气的等离子体轰击，以去除硅片的氧化层；本发明通过不同的处理方式，使硅片受到的腐蚀作用降低，同时改善浸泡液进一步提高了光刻胶的去除率。
公开/授权文献:
- CN113253581A 一种去除离子注入后光刻胶的方法 公开/授权日：2021-08-13