基本信息:
- 专利标题： 电磁屏蔽件及超、特高压强电场DR成像板电磁屏蔽结构
- 申请号：CN202110639711.3 申请日：2021-06-09
- 公开(公告)号：CN113242686A 公开(公告)日：2021-08-10
- 发明人： 陈瑞斌 , 杨东 , 张辉 , 谭兴华 , 陈四甫 , 张明磊 , 刘礼琴 , 陈明喜
- 申请人： 河南四达检测技术有限公司
- 申请人地址： 河南省许昌市市辖区许昌市城乡一体化示范区魏武大道与隆昌路交汇处(隆昌路88号)
- 专利权人： 河南四达检测技术有限公司
- 当前专利权人： 河南四达检测技术有限公司
- 当前专利权人地址： 河南省许昌市市辖区许昌市城乡一体化示范区魏武大道与隆昌路交汇处(隆昌路88号)
- 代理机构： 洛阳九创知识产权代理事务所
- 代理人： 炊万庭
- 主分类号： H05K9/00
- IPC分类号： H05K9/00
摘要：
本发明涉及一种电磁屏蔽件及超、特高压强电场DR成像板电磁屏蔽结构，电磁屏蔽结构包括夹设在DR成像板的闪烁体层与平板区域标识板之间的第一电磁屏蔽膜、贴设在DR成像板壳体内壁的第二电磁屏蔽膜以及套设在DR成像板外侧的电磁屏蔽套；电磁屏蔽膜由中间纤维层以及涂覆在中间纤维层上下表面的外屏蔽层构成，电磁屏蔽套为电磁屏蔽橡胶制成的方框结构。本发明的电磁屏蔽结构用于DR成像板的电磁屏蔽保护，电磁屏蔽膜配合电磁屏蔽套形成两重屏蔽防护，能够有效隔绝电磁波会DR成像板内部核心部件的影响，提高超、特高压强电场环境下的检测效果以及使用寿命。
公开/授权文献:
- CN113242686B 电磁屏蔽件及超、特高压强电场DR成像板电磁屏蔽结构 公开/授权日：2024-07-05
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H05 | 其他类目不包含的电技术 |
| ----H05K | 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造 |
| ------H05K9/00 | 设备或元件对电场或磁场的屏蔽 |