![LTCC器件及其制造方法](/CN/2021/1/93/images/202110466158.jpg)
基本信息:
- 专利标题: LTCC器件及其制造方法
- 申请号:CN202110466158.8 申请日:2021-04-28
- 公开(公告)号:CN113179581B 公开(公告)日:2023-12-29
- 发明人: 程桥 , 肖倩 , 刘季超 , 徐鹏飞 , 黎燕林 , 邓兵 , 徐妍
- 申请人: 深圳振华富电子有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路64号中国振华工业园大楼
- 专利权人: 深圳振华富电子有限公司
- 当前专利权人: 深圳振华富电子有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路64号中国振华工业园大楼
- 代理机构: 深圳中一联合知识产权代理有限公司
- 代理人: 徐汉华
- 主分类号: H05K1/03
- IPC分类号: H05K1/03 ; H05K1/11 ; H05K1/16 ; H05K3/00
摘要:
本申请提供了一种LTCC器件及其制造方法,层叠体用于制造LTCC器件,所述层叠体包括:基片,所述基片上设有用于形成所述LTCC器件一面电路图形的第一图案,所述基片为牺牲材料层;以及,多个生瓷片,依次叠置于所述基片上设有所述第一图案的一侧;各所述生瓷片上设有用于形成所述LTCC器件上对应一层电路图形的第二图案。本申请的层叠体采用牺牲材料层制作的基片,烧结时可将牺牲材料层去除,层叠体中基片上的第一图案和生瓷片上的第二图案能够形成完整的LTCC器件电路图形,使得本申请中的层叠体和制造方法能够提高LTCC器件两面电路图形的对位精度,能够提高LTCC器件的一致性,有利于提高LTCC器件的质量和加工效率。
公开/授权文献:
- CN113179581A 层叠体、LTCC器件及其制造方法 公开/授权日:2021-07-27