基本信息:
- 专利标题： 具有部分囊封衰减层的图像传感器
- 申请号：CN202011587383.9 申请日：2020-12-29
- 公开(公告)号：CN113130522B 公开(公告)日：2022-07-22
- 发明人： 刘远良 , 比尔·潘 , 毛杜利
- 申请人： 豪威科技股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 豪威科技股份有限公司
- 当前专利权人： 豪威科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 刘媛媛
- 优先权： 16/730,137 20191230 US
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
本申请案涉及一种具有部分囊封衰减层的图像传感器。像素单元包含第一光电二极管、第二光电二极管、第一深沟槽隔离区、第二深沟槽隔离区、缓冲氧化物层及光衰减层。所述衰减层通过在所述半导体材料与所述缓冲氧化物层之间从所述第一深沟槽隔离区横向延伸到所述第二深沟槽隔离区而部分地囊封所述第一光电二极管。
公开/授权文献:
- CN113130522A 具有部分囊封衰减层的图像传感器 公开/授权日：2021-07-16
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |