基本信息:
- 专利标题： 存储器件
- 申请号：CN202110382058.7 申请日：2020-04-17
- 公开(公告)号：CN113113417A 公开(公告)日：2021-07-13
- 发明人： 汤强 , 侯春源
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘柳; 杨锡劢
- 主分类号： H01L27/11524
- IPC分类号： H01L27/11524 ; H01L27/11551 ; H01L27/1157 ; H01L27/11578 ; H01L29/78
摘要：
一种存储器件包括第一衬底、第一存储阵列、第二衬底和至少一个第一垂直晶体管。第一存储阵列设置在第一衬底上。第一存储阵列包括至少一个第一字线结构。第一存储阵列在垂直方向上设置在第一衬底与第二衬底之间。第一垂直晶体管与第一字线结构电连接。至少一个第一垂直晶体管的至少一部分设置在第二衬底中。
公开/授权文献:
- CN113113417B 存储器件 公开/授权日：2024-04-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11521 | ........以存储器核心区为特征的 |
| ------------------------H01L27/11524 | .........具有单元选择晶体管的，例如，NAND |