基本信息:
- 专利标题： 集成电路及其形成方法
- 申请号：CN202110275480.2 申请日：2021-03-15
- 公开(公告)号：CN113113387B 公开(公告)日：2024-06-11
- 发明人： 薛琇文 , 杨景峰 , 陈启平 , 黄柏翔 , 陈昶文 , 吴采伶
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 李伟
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L21/768
摘要：
本发明的各个实施例涉及集成电路(IC)，其中空腔分离互连结构的导线。例如，导电部件覆盖衬底，并且金属间介电(IMD)层覆盖导电部件。第一导线和第二导线在IMD层中相邻并且分别具有彼此面对的第一侧壁和第二侧壁，同时被IMD层彼此分离。此外，第一导线覆盖导电部件并与该导电部件相接。第一空腔和第二空腔进一步将第一侧壁和第二侧壁彼此分离。第一空腔分离第一侧壁与IMD层，并且第二空腔分离第二侧壁与IMD层。空腔减小了第一导线与第二导线之间的寄生电容，因此减小了导致IC性能下降的电阻电容(RC)延迟。本申请的实施例还涉及形成集成电路的方法。
公开/授权文献:
- CN113113387A 集成电路及其形成方法 公开/授权日：2021-07-13
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/538 | ..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构 |