基本信息:
- 专利标题： 一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法
- 申请号：CN201911275842.7 申请日：2019-12-12
- 公开(公告)号：CN112992836A 公开(公告)日：2021-06-18
- 发明人： 江伟 , 史波 , 敖利波 , 曾丹 , 肖婷 , 曹俊
- 申请人： 珠海格力电器股份有限公司
- 申请人地址： 广东省珠海市前山金鸡西路789号
- 专利权人： 珠海格力电器股份有限公司
- 当前专利权人： 珠海格力电器股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省珠海市前山金鸡西路789号
- 代理机构： 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘红彬
- 主分类号： H01L23/495
- IPC分类号： H01L23/495 ; H01L23/367 ; H01L23/31 ; H01L23/29 ; H01L21/48
摘要：
本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法，该铜桥双面散热的芯片包括导线框架、芯片本体、环氧树脂胶膜和铜桥，其中，导线框架包括基岛和管脚两个部分，芯片本体设置于基岛上，芯片本体包括位于朝向基岛一侧且与基岛电性连接的第一连接端和位于背离基岛一侧、通过铜桥与管脚电性连接的第二连接端；环氧树脂胶膜设置于芯片本体上且与每个第二连接端相对的位置设有开孔，开孔内设有结合材以将第二连接端与铜桥固定。该铜桥双面散热的芯片将用于固定第二连接端与铜桥的结合材限定在环氧树脂胶膜的开孔内，可以避免结合材溢出而影响铜桥双面散热的芯片的性能，该铜桥双面散热的芯片可靠性更强、散热效果更好。
公开/授权文献:
- CN112992836B 一种铜桥双面散热的芯片及其制备方法 公开/授权日：2023-01-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/495 | ...引线框架的 |