基本信息:
- 专利标题： 一种膜层生长方法、装置、设备及系统
- 申请号：CN202110099121.6 申请日：2021-01-25
- 公开(公告)号：CN112951763B 公开(公告)日：2022-03-29
- 发明人： 程磊 , 熊少游 , 谭力 , 付家赫
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 柳虹
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/67
摘要：
本申请实施例提供了一种膜层生长方法、装置、设备及系统，可以利用第一站点在待处理晶圆上形成待成膜材料的晶种，利用第二站点在形成有晶种的待处理晶圆上形成待成膜材料的低温膜层，利用第三站点对形成有低温膜层的待处理晶圆进行ICE处理，利用第四站点在低温膜层上形成待成膜材料的高温膜层，这样相比于传统技术中利用第一站点生成晶种和低温膜层，减少了第一站点的工作时间，相比于传统技术中利用第二站点、第三站点和第四站点来形成高温膜层，减少了高温膜层的工作站点数量，利于控制同时减少生长时间，因此可以提高膜层生长效率。
公开/授权文献:
- CN112951763A 一种膜层生长方法、装置、设备及系统 公开/授权日：2021-06-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |