基本信息:
- 专利标题： 介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺
- 申请号：CN202110151571.5 申请日：2021-02-03
- 公开(公告)号：CN112915783A 公开(公告)日：2021-06-08
- 发明人： 吴忠标 , 陈思 , 王海强 , 冯文骥 , 高珊 , 王岳军 , 张仲飞
- 申请人： 浙江大学 , 浙江天蓝环保技术股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;
- 专利权人： 浙江大学,浙江天蓝环保技术股份有限公司
- 当前专利权人： 浙江大学,浙江天蓝环保技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;
- 代理机构： 杭州天勤知识产权代理有限公司
- 代理人： 高佳逸; 胡红娟
- 主分类号： B01D53/86
- IPC分类号： B01D53/86 ; B01D53/56 ; B01D53/44
摘要：
本发明公开了一种介质阻挡放电协同N型半导体催化剂深度氧化气态污染物的工艺，包括：将含有气态污染物的污染气体通过装有N型半导体催化剂的介质阻挡低温等离子体反应器，N型半导体催化剂置于介质阻挡低温等离子体反应器的放电区域内，低温等离子体放电产生高能电子和活性自由基，等离子体放电过程产生的多余高能电子与N型半导体催化剂中的电子进行碰撞，形成轨道电子的跃迁，产生“类光催化”行为，继而形成电子和空穴并进一步生成其他强氧化性物种，气态污染物在这些活性物种的共同作用下得到深度氧化，生成无害小分子或更有利于后续处理的高价态化合物。