基本信息:
- 专利标题： 半导体结构及其制造方法
- 申请号：CN201880096940.1 申请日：2018-10-30
- 公开(公告)号：CN112889153B 公开(公告)日：2024-04-26
- 发明人： 程凯
- 申请人： 苏州晶湛半导体有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
- 专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
- 当前专利权人： 苏州晶湛半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
- 代理机构： 北京布瑞知识产权代理有限公司
- 代理人： 孟潭
- 国际申请： PCT/CN2018/112657 2018.10.30
- 国际公布： WO2020/087271 ZH 2020.05.07
- 进入国家日期： 2021-03-04
- 主分类号： H01L27/14
- IPC分类号： H01L27/14
摘要：
本申请提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括高阻硅衬底，位于高阻硅衬底上的化合物层，通过对高阻硅衬底进行局部n型离子注入、局部n型离子扩散、选区外延生长等方式，使高阻硅衬底上部形成多个n型半导体区域，消除由于化合物层中的Al、Ga原子在高阻硅衬底上部的扩散而形成的p型半导体导电区域，从而大大降低由于导电衬底带来的寄生电容，并且可以提高高阻硅衬底在高温条件下的电阻率，进而提高整个半导体结构所构成微波器件的效率和射频特性。
公开/授权文献:
- CN112889153A 半导体结构及其制造方法 公开/授权日：2021-06-01