基本信息:
- 专利标题： 一种基于Voigt磁光效应的微环腔偏振调制器及调制方法
- 申请号：CN202110172187.3 申请日：2021-02-08
- 公开(公告)号：CN112882261B 公开(公告)日：2022-07-29
- 发明人： 宋跃江 , 许梦帆 , 张欣 , 李密
- 申请人： 南京大学
- 申请人地址： 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
- 专利权人： 南京大学
- 当前专利权人： 南京大学
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
- 代理机构： 南京瑞弘专利商标事务所
- 代理人： 陈建和
- 主分类号： G02F1/09
- IPC分类号： G02F1/09 ; G02F1/095
摘要：
本发明提供了一种基于Voigt磁光效应的微环腔偏振调制器及调制方法，包括SOI衬底、光学微环腔、内磁极、外磁极、第一耦合波导和第二耦合波导；所述SOI衬底上端圆心位置固定设置有圆形内磁极，沿径向向外依次设置有圆环形光学微环腔和圆环形外磁极；所述第一耦合波导和第二耦合波导依次平行设置于光学微环腔的上下两侧，并且分别穿过外磁极；所述内磁极和外磁极通过外加电流可以在圆环气隙中形成沿着半径方向均匀分布的磁场；通过调节磁场强度大小，使原本偏振态相互正交的准TM和准TE模式产生相互耦合作用，导致线偏振模式的偏振态发生了变化，同时偏振角度的变化是随着磁场强度连续可调的，从而达到了偏振调制器的功能。
公开/授权文献:
- CN112882261A 一种基于Voigt磁光效应的微环腔偏振调制器及调制方法 公开/授权日：2021-06-01