基本信息:
- 专利标题： 一种检测PMOS器件NBTI退化的电路
- 申请号：CN202011598468.7 申请日：2020-12-29
- 公开(公告)号：CN112834890A 公开(公告)日：2021-05-25
- 发明人： 赵东艳 , 王于波 , 陈燕宁 , 张海峰 , 付振 , 赵文龙 , 庞振江 , 周芝梅 , 刘芳 , 万勇 , 何燕冬
- 申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京大学
- 申请人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ; ;
- 专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,北京大学
- 当前专利权人： 北京智芯微电子科技有限公司,北京芯可鉴科技有限公司,国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,北京大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼; ; ; ;
- 代理机构： 北京路浩知识产权代理有限公司
- 代理人： 聂俊伟
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26
摘要：
本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。
公开/授权文献:
- CN112834890B 一种检测PMOS器件NBTI退化的电路 公开/授权日：2021-11-30
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |