基本信息:
- 专利标题： 贵金属量子点修饰多层纳米复合薄膜气体传感器制备方法
- 申请号：CN202011565905.5 申请日：2020-12-25
- 公开(公告)号：CN112798649B 公开(公告)日：2022-04-22
- 发明人： 王海容 , 田鑫 , 王久洪 , 曹慧通 , 李剑 , 金成
- 申请人： 西安交通大学 , 深圳市天地通电子有限公司
- 申请人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号;
- 专利权人： 西安交通大学,深圳市天地通电子有限公司
- 当前专利权人： 西安交通大学,深圳市天地通电子有限公司
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市咸宁西路28号;
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理人： 姚咏华
- 主分类号： G01N27/00
- IPC分类号： G01N27/00 ; B32B9/00 ; B32B9/04 ; B32B33/00 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种贵金属量子点修饰多层纳米复合薄膜气体传感器制备方法，采用双面氧化和氮化硅片作为基底，以贵金属量子点修饰的多层纳米复合薄膜作为气敏材料，并通过溅射方法沉积在硅片基底上，与测试电极在氮化硅层正面上方中心叠层设置，梳齿‑插齿复合状结构的测试电极设在敏感材料上方；加热丝呈剪刀状在测试电极外围环绕两层，梳齿‑插齿复合状测试电极的引出端设于加热丝的剪刀口，加热丝和测试电极分别连接一对对称分布的引线盘。本发明采用溅射方法制备多层纳米复合薄膜和量子点，传感器结构简单，易于封装，结构微型化，功耗低；气敏薄膜一致性高，可以对极低浓度的目标气体进行检测；制备过程流程化，兼具高灵敏度和满足晶圆级气体传感器生产要求。
公开/授权文献:
- CN112798649A 贵金属量子点修饰多层纳米复合薄膜气体传感器制备方法 公开/授权日：2021-05-14
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
| ------G01N27/00 | 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料 |