基本信息:
- 专利标题： 一种钽酸锂晶片及其黑化方法
- 申请号：CN201980005933.0 申请日：2019-08-26
- 公开(公告)号：CN112714805A 公开(公告)日：2021-04-27
- 发明人： 杨胜裕 , 枋明辉 , 路林 , 黄世维 , 陈少斌
- 申请人： 福建晶安光电有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 国际申请： PCT/CN2019/102602 2019.08.26
- 国际公布： WO2021/035486 ZH 2021.03.04
- 进入国家日期： 2020-05-28
- 主分类号： C30B29/30
- IPC分类号： C30B29/30 ; C30B33/02
摘要：
一种钽酸锂晶片及其黑化方法，通过在低于居里温度的还原性环境里进行黑化反应，压电晶片表面具有小于13wt%的氧浓度，该氧浓度下的压电晶片具有较低的电阻率，在波长350~450nm的光照射下透射率为0％，有效降低电阻率、提高后段图案的分辨率，使其制作的滤波器器件良率大幅提升，进而降低制造成本。
公开/授权文献:
- CN112714805B 一种钽酸锂晶片及其黑化方法 公开/授权日：2024-03-22