![活性高纯度氧化镁及其生产方法](/CN/2019/8/12/images/201980061345.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 活性高纯度氧化镁及其生产方法
- 申请号:CN201980061345.9 申请日:2019-08-07
- 公开(公告)号:CN112714751B 公开(公告)日:2023-06-23
- 发明人: E·P·戈登 , A·V·科罗琴科 , N·I·列夫琴科 , I·N·西兹科 , T·S·于戈诺韦诺科
- 申请人: 卡乌斯帝科联合股份公司
- 申请人地址: 俄罗斯联邦伏尔加格勒
- 专利权人: 卡乌斯帝科联合股份公司
- 当前专利权人: 卡乌斯帝科联合股份公司
- 当前专利权人地址: 俄罗斯联邦伏尔加格勒
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理人: 李振东; 过晓东
- 国际申请: PCT/RU2019/000558 2019.08.07
- 国际公布: WO2020/032829 RU 2020.02.13
- 进入国家日期: 2021-03-18
- 主分类号: C01F5/02
- IPC分类号: C01F5/02 ; C01F5/08 ; C01F5/14
摘要:
本发明涉及化学技术,具体涉及活性高纯度氧化镁及其生产方法。生产包括经表面处理的氧化镁的活性高纯度氧化镁的方法包括将通过镁盐水溶液与碱性试剂的反应得到的氢氧化镁进行煅烧。氢氧化镁晶体是通过连续方法在彼此分开和隔离的区域中在氢氧化镁晶种和液态石油产品的存在下产生的,碱性试剂离子与氯化镁离子的摩尔比OH–:Mg++为(1.9‑2.1):1,所有区域中的温度不低于40℃,并且氢氧化镁晶体悬浮液在每个隔离区域中的停留时间为至少20分钟。本发明提供氧化镁的活性和化学纯度的提高。
公开/授权文献:
- CN112714751A 活性高纯度氧化镁及其生产方法 公开/授权日:2021-04-27