基本信息:
- 专利标题： 一种模拟电路的剩余使用寿命预测方法及系统
- 申请号：CN202110034936.6 申请日：2021-01-12
- 公开(公告)号：CN112685961A 公开(公告)日：2021-04-20
- 发明人： 何怡刚 , 杜博伦 , 汪磊 , 何鎏璐 , 邢致恺
- 申请人： 武汉大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市武昌区八一路299号
- 专利权人： 武汉大学
- 当前专利权人： 武汉大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市武昌区八一路299号
- 代理机构： 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理人： 张宇
- 主分类号： G06F30/27
- IPC分类号： G06F30/27 ; G06F119/04
摘要：
本发明公开了一种模拟电路的剩余使用寿命预测方法及系统，属于模拟电路寿命预测领域。搭建模拟电路的仿真模型，并选择输出电压为退化变量；设置不同退化周期，提取输出电压的退化特征；优选出能够反映模拟电路器件退化趋势的关键特征；采用多特征融合和相似度模型来构建健康指数曲线，表征不同器件的全寿命周期的退化过程；建立基于时间卷积网络与注意力机制的预测模型，将优选的特征和构建好的健康指标数据库作为TCN‑Attention网络的输入，预测模拟电路器件的剩余使用寿命。通过对一个模拟电路的实例分析，验证本发明提出的剩余使用寿命预测框架的有效性，并可扩展应用到其他模拟电路的剩余使用寿命预测上。
公开/授权文献:
- CN112685961B 一种模拟电路的剩余使用寿命预测方法及系统 公开/授权日：2022-06-21
IPC结构图谱:
| G06F30/27 | 使用机器学习，例如人工智能，神经网络，支持向量机 |