基本信息:
- 专利标题： 一种大面积印刷与激光退火制造装置及半导体制造方法
- 申请号：CN202011543746.9 申请日：2020-12-24
- 公开(公告)号：CN112670212A 公开(公告)日：2021-04-16
- 发明人： 王学文 , 冯宇哲 , 孙楷理
- 申请人： 武汉理工大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 专利权人： 武汉理工大学
- 当前专利权人： 武汉理工大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 代理机构： 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理人： 杨晓燕
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67
摘要：
本申请提供一种大面积印刷与激光退火制造装置及半导体制造方法，其衬底材料设置于移动载台的上表面上；加热器内嵌于移动载台的内部，且处于衬底材料的正下方；位移平台与移动载台平行间隔设置，且可相对移动载台进行平行移动；印刷机构可升降地连接于位移平台上；准分子激光发射器、扩束器以及光束整形器同轴设置，且处于位移平台的斜上方；转轮振镜、汇聚透镜间隔地安装于位移平台上，转轮振镜处于汇聚透镜的正上方，汇聚透镜处于衬底材料的正上方，且位移平台能够带动转轮振镜、汇聚透镜沿衬底材料的宽度方向进行移动。该装置能够减少工艺复杂度和提高生产效率。
公开/授权文献:
- CN112670212B 一种大面积印刷与激光退火制造装置及半导体制造方法 公开/授权日：2024-05-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |