基本信息:
- 专利标题： 用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法
- 申请号：CN202080003886.9 申请日：2020-12-04
- 公开(公告)号：CN112639978A 公开(公告)日：2021-04-09
- 发明人： 汤强 , 王礼维
- 申请人： 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人： 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
- 代理机构： 北京永新同创知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘柳; 杨锡劢
- 国际申请： PCT/CN2020/133774 2020.12.04
- 进入国家日期： 2021-01-05
- 主分类号： G11C16/16
- IPC分类号： G11C16/16 ; G11C16/20 ; G11C16/08
摘要：
提出了用于擦除三维(3D)存储器件的存储数据的方法。3D存储器件包括多个存储块，每个存储块具有多个存储串，所述多个存储串具有垂直地堆叠的存储单元。每个存储单元可通过字线和位线来寻址。可以通过在阵列公共源上施加擦除电压并在选定的存储块的字线上施加第一电压来擦除选定的存储块中的存储数据。在擦除操作期间，未选定的存储块的字线是浮动的，即没有外部偏置。在擦除操作之后，在整个存储器平面的字线上施加第二电压来复位存储单元以改进数据保持。
公开/授权文献:
- CN112639978B 用于三维NAND闪存中的擦除和复位的方法 公开/授权日：2023-07-21
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
| --------G11C16/02 | .电可编程序的 |
| ----------G11C16/06 | ..辅助电路，例如，用于写入存储器的 |
| ------------G11C16/10 | ...编程或数据输入电路 |
| --------------G11C16/14 | ....用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路 |
| ----------------G11C16/16 | .....用于擦除块的，例如，阵列、字、组 |