基本信息:
- 专利标题： 一种锗基晶格失配四结太阳电池
- 申请号：CN202011517196.3 申请日：2020-12-21
- 公开(公告)号：CN112635608B 公开(公告)日：2023-06-23
- 发明人： 张恒 , 孙强 , 刘如彬 , 张启明
- 申请人： 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 申请人地址： 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人地址： 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号
- 代理机构： 天津市鼎和专利商标代理有限公司
- 代理人： 蒙建军
- 主分类号： H01L31/0725
- IPC分类号： H01L31/0725 ; H01L31/0735 ; H01L31/0216 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种锗基晶格失配四结太阳电池，属于太阳电池技术领域，其特征在于，自下而上依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、(AlGa)1‑bInbAs第一晶格渐变缓冲层、(AlGa)1‑xInxAs/(AlGa)1‑xInxAs第一布拉格反射镜、Ga1‑xInxAs子电池、第二隧穿结、(AlGa)1‑cIncP第二晶格渐变缓冲层、AlGaAs/AlGaAs第二DBR，Al1‑zGazAs子电池、第三隧穿结、(AlGa)1‑vInvP子电池、GaInAs帽层；通过采用上述技术方案，本发明中的锗基晶格失配四结太阳电池具有光电转换效率高、抗辐照性能好的优点。
公开/授权文献:
- CN112635608A 一种锗基晶格失配四结太阳电池 公开/授权日：2021-04-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/042 | ..包括光电池板或阵列，如太阳电池板或阵列 |
| ------------H01L31/072 | ...只是PN异质结型势垒的 |
| --------------H01L31/0725 | ....多结或叠层太阳能电池 |