基本信息:
- 专利标题： 碳氟/钯/镁-钌气致调光薄膜及其制备方法
- 申请号：CN202011343371.1 申请日：2020-11-25
- 公开(公告)号：CN112596279B 公开(公告)日：2022-11-11
- 发明人： 陈娟 , 陈炎 , 彭立明 , 邓南香 , 吴玉娟 , 董泽麟 , 王廷炎 , 丁文江
- 申请人： 上海交通大学
- 申请人地址： 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人： 上海交通大学
- 当前专利权人地址： 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构： 上海汉声知识产权代理有限公司
- 代理人： 胡晶
- 主分类号： G02F1/01
- IPC分类号： G02F1/01 ; G02F1/00 ; C23C14/35 ; C23C14/18 ; C23C16/50 ; C23C16/30 ; C23C28/00
摘要：
本发明公开了一种碳氟/钯/镁‑钌体系的气致调光薄膜及其制备方法，所述气致调光薄膜包括依次设置的基底、镁‑钌复合调光膜层、钯催化层和碳氟保护膜层。本发明利用了在吸氢阶段，镁可以吸收氢原子形成镁的氢化物，薄膜从金属的反射态转变为氢化物的透明态，钯膜对该反应有催化作用，钌的添加可以加速氢原子在镁基体内的扩散作用，促进镁转变为镁的氢化物；在脱氢阶段，钌加速了镁氢化物的分解，薄膜由氢化物的透明态转变为金属的反射态。该薄膜在常温下发生上述吸脱氢反应，实现薄膜在透明态与反射态的可逆转化，同时具有耐久性好、响应时间短等优点，在氢气传感器领域具有良好应用前景。
公开/授权文献:
- CN112596279A 碳氟/钯/镁-钌气致调光薄膜及其制备方法 公开/授权日：2021-04-02