基本信息:
- 专利标题： 一种薄膜紫外探测器及其制备方法
- 申请号：CN202011416050.X 申请日：2020-12-07
- 公开(公告)号：CN112490309A 公开(公告)日：2021-03-12
- 发明人： 刘可为 , 韩无双 , 申德振 , 陈星 , 张振中 , 李炳辉
- 申请人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 申请人地址： 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- 专利权人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 当前专利权人地址： 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
- 代理机构： 长春中科长光知识产权代理事务所
- 代理人： 高一明; 郭婷
- 主分类号： H01L31/032
- IPC分类号： H01L31/032 ; H01L31/108 ; H01L31/18
摘要：
本发明提供一种BaTiO3薄膜紫外探测器及其制备方法，特别是一种禁带宽度在3.9～4.4eV的BaTiO3薄膜。包括衬底、生长于衬底上表面的BaTiO3薄膜、以及复合于BaTiO3薄膜上的叉指电极层；BaTiO3薄膜的禁带宽度为3.9～4.4eV；BaTiO3薄膜的晶粒尺寸为0.01～30nm；BaTiO3薄膜的厚度为50～500nm；BaTiO3薄膜的光吸收截止边为280～320nm。本发明制备的BaTiO3薄膜具有晶粒尺寸小、禁带宽度宽、吸收截止边在280～320nm等特点，使得BaTiO3紫外探测器对应的探测波长在280～320nm，是一种优异的UVB光电探测材料，实现BaTiO3对UVB波段的探测，拓宽其在UVB紫外探测器领域的应用。
公开/授权文献:
- CN112490309B 一种薄膜紫外探测器及其制备方法 公开/授权日：2022-10-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/0256 | ..以材料为特征的 |
| ------------H01L31/0264 | ...无机材料 |
| --------------H01L31/032 | ....除掺杂或其他杂质外，只包含未列入H01L31/0272至H01L31/0312各组的化合物 |