基本信息:
- 专利标题： IGBT功率模块的封装结构及采用该封装结构的IGBT功率模块
- 申请号：CN202011262640.1 申请日：2020-11-12
- 公开(公告)号：CN112421934A 公开(公告)日：2021-02-26
- 发明人： 张凯 , 刘刚 , 孙峻峰 , 任静 , 谢云龙 , 任成才 , 王阔 , 于丽阳 , 王高虎 , 祁招 , 张文锦
- 申请人： 许继集团有限公司 , 许继电气股份有限公司
- 申请人地址： 河南省许昌市许继大道1298号
- 专利权人： 许继集团有限公司,许继电气股份有限公司
- 当前专利权人： 河南许继电力电子有限公司,许继集团有限公司许继电气股份有限公司
- 当前专利权人地址： 河南省许昌市许继大道1298号
- 代理机构： 北京中政联科专利代理事务所
- 代理人： 朱晓娟
- 主分类号： H02M1/00
- IPC分类号： H02M1/00 ; H02M7/00
摘要：
本发明涉及一种IGBT功率模块的封装结构以及采用该封装结构的IGBT功率模块，叠层母排中部设计有接线端，通过小铜排与IGBT功率器件搭接，优化了IGBT功率器件与叠层母排的搭接形式，使得母线电容上电流通过叠层母排能够以较短的路径达到IGBT功率器件，提升了产品性能，降低了产品成本。
公开/授权文献:
- CN112421934B IGBT功率模块的封装结构及采用该封装结构的IGBT功率模块 公开/授权日：2022-09-06