基本信息:
- 专利标题： 一种新型WCrSiN梯度涂层及其制备方法
- 申请号：CN202011250640.X 申请日：2020-11-11
- 公开(公告)号：CN112410727B 公开(公告)日：2023-04-21
- 发明人： 杨俊峰 , 杨红艳 , 杨瑞芳 , 张临超 , 谢卓明 , 王坤 , 刘瑞 , 王先平 , 吴学邦 , 方前锋
- 申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院 , 中国核动力研究设计院
- 申请人地址： 安徽省合肥市蜀山湖路350号;
- 专利权人： 中国科学院合肥物质科学研究院,中国核动力研究设计院
- 当前专利权人： 中国科学院合肥物质科学研究院,中国核动力研究设计院
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市蜀山湖路350号;
- 代理机构： 合肥市长远专利代理事务所
- 代理人： 干桂花
- 主分类号： C23C14/06
- IPC分类号： C23C14/06 ; C23C14/16 ; C23C14/32 ; C23C14/35 ; C23C14/02
摘要：
本发明公开了一种新型WCrSiN梯度涂层及其制备方法，涉及表面涂层技术领域，包括依次沉积在基体表面的多弧离子镀涂层和磁控溅射涂层，其中，多弧离子镀涂层包括依次沉积在基体表面的WCr涂层、WCrN涂层、WCrSiN涂层，磁控溅射涂层为WCrSiN涂层。本发明先采用多弧离子镀技术制备打底涂层，再利用磁控溅射技术制备表层涂层，将多弧离子镀和磁控溅射结合起来，充分发挥了这两种方法的优势，所得薄膜涂层与基体之间的结合强度高，薄膜涂层表面均匀且致密度高。此外，在涂层微结构上设计梯度结构，有利于增强涂层的综合性能，改善涂层的总厚度，可制备厚度在5μm以上的超硬涂层。
公开/授权文献:
- CN112410727A 一种新型WCrSiN梯度涂层及其制备方法 公开/授权日：2021-02-26