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基本信息:
- 专利标题: 一种用声子晶体结构封装的薄膜体声波谐振器
- 申请号:CN202011160579.X 申请日:2020-10-27
- 公开(公告)号:CN112367058A 公开(公告)日:2021-02-12
- 发明人: 孙成亮 , 罗天成 , 刘炎 , 邹杨 , 高超 , 谢英 , 徐沁文 , 龙开祥
- 申请人: 武汉大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
- 专利权人: 武汉大学
- 当前专利权人: 武汉大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理人: 彭艳君
- 主分类号: H03H9/02
- IPC分类号: H03H9/02 ; H03H9/17
摘要:
本发明涉及谐振器技术,具体涉及一种用声子晶体结构封装的薄膜体声波谐振器,包括衬底、依次沉积在衬底上的压电振荡堆结构和封装盖帽结构;压电振荡堆结构包括底电极、压电材料薄膜层及顶电极;封装盖帽结构包括声子晶体层和第一基体。该薄膜体声波谐振器利用材料结构设计将薄膜体声波谐振器中激发的声波反射回其压电有效区域,减少能量的耗散,增大谐振器的品质因数。散射体在封装盖帽的基体材料中周期排列所形成的的声子晶体层结构利用材料特性差异产生声子带隙结构,因此能够在特定的工作频率范围内对声波屏蔽,对应工作频率的声波将被完全反射。该结构不需要进行衬底背面刻蚀,保证了谐振器的稳定性,降低了工艺难度。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H03 | 基本电子电路 |
----H03H | 阻抗网络,例如谐振电路;谐振器 |
------H03H9/00 | 包括机电或电声元件的网络,如谐振电路 |
--------H03H9/02 | .零部件 |