基本信息:
- 专利标题： 一种三明治结构巨磁阻抗效应复合材料及制备方法
- 申请号：CN202011106849.9 申请日：2020-10-16
- 公开(公告)号：CN112349834A 公开(公告)日：2021-02-09
- 发明人： 宋也男 , 陈依君 , 赵振杰 , 孙卓 , 邹锦堂
- 申请人： 华东师范大学
- 申请人地址： 上海市闵行区东川路500号
- 专利权人： 华东师范大学
- 当前专利权人： 华东师范大学
- 当前专利权人地址： 上海市闵行区东川路500号
- 代理机构： 上海蓝迪专利商标事务所
- 代理人： 徐筱梅; 张翔
- 主分类号： H01L43/12
- IPC分类号： H01L43/12 ; H01L43/08 ; H01L43/10
摘要：
本发明公开了一种三明治结构巨磁阻抗效应复合材料及制备方法，其制备方法是在巨磁阻抗传感器敏感元件纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13B9.5条带上，通过一步化学镀合成还原氧化石墨烯(rGO)内层，磁控溅射法获得FeCo外层，得到FeCo/rGO/FINEMET/rGO/FeCo三明治结构的巨磁阻抗(GMI)效应复合材料。其有益效果在于一方面还原氧化石墨烯层作为高导电层，提供了一个有利于高频电流流动的通道，大大降低了趋肤效应；另一方面FeCo层增加了磁导率，提供了一个封闭的磁路。最终FeCo/rGO/FINEMET/rGO/FeCo三明治结构的巨磁阻抗(GMI)效应复合材料获得了显著增强的GMI效应，也提高了GMI传感器的灵敏度，工艺简单，适合大批量生产。
公开/授权文献:
- CN112349834B 一种三明治结构巨磁阻抗效应复合材料及制备方法 公开/授权日：2023-02-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/12 | .专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |