基本信息:
- 专利标题： 嵌入加热结构的硅基微通道散热器及应用方法与制备方法
- 申请号：CN202011143644.8 申请日：2020-10-23
- 公开(公告)号：CN112349660B 公开(公告)日：2023-05-12
- 发明人： 卢茜 , 张剑 , 李阳阳 , 向伟玮 , 冯媛 , 汪志强 , 蒋苗苗 , 陈春梅 , 董乐
- 申请人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 申请人地址： 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第二十九研究所
- 当前专利权人地址： 四川省成都市金牛区营康西路496号
- 代理机构： 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘世权
- 主分类号： H01L23/34
- IPC分类号： H01L23/34 ; H01L23/473 ; B81B7/00 ; B81C1/00 ; B81C3/00
摘要：
本发明涉及微电子散热技术领域，公开了一种嵌入加热结构的硅基微通道散热器及其应用方法与制备方法。该微通道散热器由两片硅片键合而成，在进液口及进液分流区域对应的键合层内布置加热结构和温度传感器，加热结构与温度传感器的馈电端通过穿硅通孔(TSV)引至微通道散热器的外表面焊盘，实现与微通道散热器的紧凑集成。本发明提供的微通道散热器在低温工作状态，可对防冻冷却液进行加热同时监控液温，防止温度过高影响散热效果，当液温稳定时再开启大功率器件，从而保障系统在低温状态稳定工作。
公开/授权文献:
- CN112349660A 嵌入加热结构的硅基微通道散热器及应用方法与制备方法 公开/授权日：2021-02-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |