基本信息:
- 专利标题： 一种氮化镓基射频收发前端结构
- 申请号：CN202011301744.9 申请日：2020-11-19
- 公开(公告)号：CN112332884B 公开(公告)日：2021-06-01
- 发明人： 陈志坚 , 邹宇 , 赖俊凯 , 李斌
- 申请人： 华南理工大学
- 申请人地址： 广东省广州市天河区五山路381号
- 专利权人： 华南理工大学
- 当前专利权人： 华南理工大学
- 当前专利权人地址： 广东省广州市天河区五山路381号
- 代理机构： 广州海心联合专利代理事务所
- 代理人： 黄为; 冼俊鹏
- 主分类号： H04B1/40
- IPC分类号： H04B1/40
摘要：
本发明公开了一种氮化镓基射频收发前端结构，涉及5G集成电路领域。针对芯片中央无法打绑定线导致放大器不能实现双侧偏置的问题提出本方案。衬底在间隙设置若干接地通孔，接地通孔沿间隙延伸方向分布；间隙内接地通孔与第一放大器之间设有同向延伸的第一电源总线、接地通孔与第二放大器之间设有同向延伸的第二电源总线；第一放大器靠近间隙的直流偏置端与第一电源总线连接，第二放大器靠近间隙的直流偏置端与第二电源总线连接；第一电源总线和第二电源总线的一端分别延伸至所在芯片的外侧焊盘。优点在于，解决芯片中央不能打绑定线的问题，实现片上并行的放大器都能做到双侧直流偏置，有效提高芯片性能以及稳定性。
公开/授权文献:
- CN112332884A 一种氮化镓基射频收发前端结构 公开/授权日：2021-02-05