基本信息:
- 专利标题： 半导体结构及其制作方法
- 申请号：CN201910688355.7 申请日：2019-07-29
- 公开(公告)号：CN112310144A 公开(公告)日：2021-02-02
- 发明人： 王慧琳 , 王裕平 , 翁宸毅 , 谢晋阳 , 李怡慧 , 刘盈成 , 施易安 , 曾奕铭 , 张境尹 , 林建廷
- 申请人： 联华电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陈小雯
- 主分类号： H01L27/22
- IPC分类号： H01L27/22 ; H01L43/12 ; H01L43/08
摘要：
本发明公开一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构的制作方法包括提供一基底，该基底包括一逻辑元件区以及一存储器元件区，接着于该基底上形成一第一介电层，再于该存储器元件区的该第一介电层上形成多个存储器堆叠结构，然后形成一绝缘层共型地覆盖该些存储器堆叠结构以及该第一介电层，之后进行一回蚀刻制作工艺以蚀刻移除部分该绝缘层，但不显露出任一该存储器堆叠结构。回蚀刻制作工艺之后，形成一第二介电层，填满该些存储器堆叠结构之间的间隙。
公开/授权文献:
- CN112310144B 半导体结构及其制作方法 公开/授权日：2024-10-15
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/22 | .包括有利用电—磁效应的组件的，例如霍尔效应；应用类似磁场效应的 |