基本信息:
- 专利标题： 亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置
- 申请号：CN201911264850.1 申请日：2019-12-11
- 公开(公告)号：CN112310136B 公开(公告)日：2024-03-19
- 发明人： 武东星 , 洪瑞华 , 陈柏玮
- 申请人： 薛富盛
- 申请人地址： 中国台湾台中市
- 专利权人： 薛富盛
- 当前专利权人： 薛富盛
- 当前专利权人地址： 中国台湾台中市
- 代理机构： 北京泰吉知识产权代理有限公司
- 代理人： 史瞳; 呂姿靜
- 主分类号： H01L27/15
- IPC分类号： H01L27/15 ; H01L33/38
摘要：
一种亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置，包括微发光二极管阵列及外部线路组件。微发光二极管阵列包括基板、数沿Y方向间隔布满基板的微发光阵列及阵列用绝缘层。各微发光阵列依序具一沿X方向延伸于基板的第一层、数间隔的发光层、第二层、第一内电极层，更具一延伸于第一层并具间隔围绕发光层的基部及自基部凸伸的凸部的第二内电极层。阵列用绝缘层覆盖基板并裸露第一、二内电极层。外部线路组件包括面向基板的载板、各沿Y、X方向间隔并沿X、Y方向延伸于载板的第一、二外部线路、裸露出第一、二外部线路的线路用绝缘层及键合于第一、二外部线路与第一、二内电极层的电性键合单元，借由载板上的外部线路组件能有效利用阵列设置面面积。
公开/授权文献:
- CN112310136A 亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置 公开/授权日：2021-02-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/15 | .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件 |